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CVD管式爐的構成和應用范圍

更新時間:2020-01-03    點擊次數(shù):9003
  CVD管式爐廣泛用于:真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結等場所。該系統(tǒng)技術成熟、質量可靠;設備操作采用全數(shù)控觸摸界面,豐富的圖形界面提示,使得設備的操作異常簡單、方便;設備的各項技術參數(shù)更是一目了然,設備的運行狀態(tài)盡在您的掌控之中。該系統(tǒng)是材料實驗室*的理想設備之一。
 
  采用雙層殼體結構,并帶有風冷系統(tǒng),使得殼體表面溫度小于55℃.內(nèi)內(nèi)爐膛表面涂有1750℃進口氧化鋁涂層材料提高反射率及爐膛潔凈度 。真空密封系統(tǒng)有兩個不銹鋼密封法蘭,zui大漏氣率6 mtorr/min。采用雙旋機械泵,可以過濾真空泵工作時產(chǎn)生的油煙,減少泵油的損耗,保護環(huán)境和人體健康,過濾的zui小微粒直徑為0.3微米。極限真空度≤6x10-2 Pa or 4x10-4 torr
 
  有四路供氣系統(tǒng) 可以用于控制一種到四種的氣體流經(jīng)真空密封的管式爐,這種氣體控制系統(tǒng)安裝在移動架上,可以放在上面,氣體控制系統(tǒng)的前面板上有控制并顯示氣體流量的調節(jié)閥。它可以用于CVD系統(tǒng)及退火爐,用來研究氣體環(huán)境對材料的影響。
 
  應用范圍
 
  廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝,例如:碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結構的可控生長等等;也可適用于金屬材料的擴展焊接以及真空或保護氣氛下熱處理. 產(chǎn)品特點: 高溫CVD系列管式爐專門設計用于高溫材料沉積之用。 硅鉬棒加熱、剛玉爐管爐膛, 可預抽真空,便于通入?yún)⒓臃磻臍怏w,進口單回路智能溫度控制儀控制、溫區(qū)設計隔板結構。具有溫度均勻、控制穩(wěn)定、溫區(qū)間溫度擾動小、升溫速度快、節(jié)能、使用溫度高、壽命長等特點,是理想的科研設備。
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